삼성전자의 반도체 공장 배치와 설계도 등을 베껴 중국에 반도체 공장을 설립하려 한 삼성전자 전직 임원이 구속돼 재판에 넘겨졌다.

수원지검 방위사업·산업기술범죄수사부(부장검사 박진성)는 12일 산업기술보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 삼성전자 전 상무 A씨(65)를 구속기소 했다고 밝혔다. A씨가 중국에 세운 반도체 제조업체 직원 5명과 설계 도면을 빼돌린 삼성전자 협력업체 직원 1명 등 6명은 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 불구속 기소됐다.

A씨는 지난 2018년 8월부터 2019년까지 삼성전자 반도체 공장 BED(Basic Engineering Data)와 공정 배치도, 설계도면 등을 부정 취득해 부정 사용한 혐의를 받는다. BED는 반도체 제조가 이뤄지는 공간에 불순물이 존재하지 않는 최적의 환경을 만들기 위한 기술이다. 공정배치도는 반도체 생산을 위한 핵심 8대 공정의 배치, 면적 등의 정보가 기재된 도면이다.

A씨가 부정 취득한 국가핵심기술로 30나노 이하급 D램 및 낸드플래시를 제조하는 반도체 공장을 세우려 했던 것으로 조사됐다. 중국 시안에 있는 삼성전자 반도체 공장과 불과 1.5㎞ 떨어진 곳에 복사판인 공장을 건설하기 위해 범행한 것이다. 그러나 실제 공장 설립으로 이어지지는 않았다. 대만 전자제품 생산업체에서 A씨에게 약정한 8조원의 투자가 불발됐기 때문이다.

다만 중국 청두시로부터 4600억원을 투자받아 만든 반도체 제조 공장이 지난해 연구개발동을 완공해 삼성전자 반도체 기술이 적용된 반도체 시제품을 생산한 것으로 전해졌다.

인력 유출도 극심하다. A씨는 반도체 제조 공장을 설립한 후 삼성전자와 SK하이닉스 인력 200명을 고용한 것으로 알려졌다. 직원들에게 삼성전자 반도체 설계 자료 등을 입수해 활용하라고 지시했고 직원들은 이에 따라 범행에 가담한 것으로 조사됐다.

검찰은 이번 기술 유출로 삼성전자가 최소 3000억원에 이르는 피해를 본 것으로 추산했다.

이소연 기자 soyeon@kukinews.com