SK하이닉스가 업계 최초로 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개, 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화했다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2023’에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. FMS는 매년 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 컨퍼런스다.

메모리 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 오는 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획을 밝혔다.

321단 1Tb TLC 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층, 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었기 때문이다.

SK하이닉스 관계자는 “양산 중인 현존 최고층 238단 낸드를 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행하고 있다”며 “적층 한계를 다시 한번 돌파해 SK하이닉스가 300단대 낸드 시대를 열고 시장을 주도할 것”이라고 강조했다.

이소연 기자 soyeon@kukinews.com