삼성전자는 지난 1월 40나노급 D램을 처음 개발한 데 이어 이달 말부터 본격 양산한다고 21일 밝혔다. 예전엔 신공정 개발 후 양산까지 1년 반에서 2년 정도 걸렸으나 이번엔 7개월로 대폭 단축했다.
40나노 공정으로 D램을 만들면 50나노급일 때보다 생산성이 60% 정도 향상된다. 또 동작전압이 기존 1.5V보다 낮은 1.35V로 전력 소모를 줄일 수 있으며 데이터 처리 속도도 20% 빠르다.
지난 1월 첫 개발 때는 1기가비트(Gb) DDR2 D램에 40나노 공정을 적용했으나 이번에 양산하는 제품은 2Gb DDR3 D램이다. DDR3는 현 D램 주력 제품인 DDR2보다 동작 속도가 2배 이상 빠르면서 전력 소모는 30%나 적어 차세대 제품으로 각광받고 있다.
시장조사업체 아이서플라이는 DDR3가 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 내년 57%로 불어나 DDR2를 제치고 주력 D램이 될 것으로 예상했다. 2012년엔 82%에 달할 전망이다.
DDR3는 생산원가 구조상 50나노급 이상에서 만들지 못하면 의미가 없다. 세계 D램 업계 3, 4위인 미국 마이크론과 일본 엘피다는 아직 60나노급에 머물러 있다. 40나노급 개발은 내년 이후에나 가능한 실정이다. 따라서 이번에 40나노급 양산을 달성한 삼성전자는 해외 경쟁사와의 제조 능력 차이를 1∼2년 더 벌리게 됐다.
2위 하이닉스반도체는 올 연말까지 40나노급 DDR3 양산에 돌입할 예정이다. 결국 DDR3 시장도 미세 공정에서 앞선 국내 업체들이 평정할 것으로 예상된다.
한편 한동안 주춤하던 D램 가격이 다시 회복세를 보이고 있다. 대만 반도체 거래사이트 D램익스체인지는 1Gb 667㎒ DDR2의 고정거래가격이 상반기 1.16달러에서 7월 하반기 1.22달러로 5.2% 올랐다고 밝혔다. 1Gb 1066㎒ DDR3 고정거래가도 상반기 1.31달러에서 1.34달러로 2.3% 상승했다. 국민일보 쿠키뉴스 천지우 기자
mogul@kmib.co.kr