
SK하이닉스는 7일 이사회 결의를 거쳐 용인 2기 팹(Y2)과 청주 낸드 생산기지 M17 팹 건설에 각각 35조2000억원, 19조1000억원 등 약 54조원을 투자하기로 결정했다. 앞서 6월 밝힌 중장기 투자 전략을 단계적으로 이행하는 과정의 일환이다.
현재 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입한다는 계획 아래 현재 용인 1기 팹(Y1)을 건설 중이며 이번 투자 결정을 통해 용인과 청주에서 후속 팹 건설에 나선다.
시장조사기관 옴디아(Omdia)에 따르면 D램과 낸드 수요는 2025년부터 2030년까지 각각 연평균 19%의 성장률을 유지할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 일시적 호황이 아닌, 메모리가 단순 부품을 넘어 AI 성능 자체를 좌우하는 핵심 인프라로 자리 잡으며 나타나는 구조적 성장으로 보고 있다.
SK하이닉스는 “AI 시대에는 기술 경쟁력만으로 충분하지 않으며 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 곧 경쟁력”이라며 “면밀한 수요 검토를 거쳐 이번 투자를 결정했다”고 밝혔다.
용인 Y2는 용인 반도체 클러스터에 순차적으로 조성하는 총 4기 중 두 번째 팹으로 연면적 34만1000평 규모의 D램 생산 거점이다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 계획이며 고대역폭 메모리(HBM)을 비롯한 차세대 D램을 생산한다. Y1은 내년 2월 첫 클린룸 오픈을 목표로 공사가 진행되고 있다.
당초 SK하이닉스는 2045년으로 예정했던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 12년 앞당겨 2033년까지 4기 팹 건설을 마친다는 목표를 세웠다. 이번 Y2 건설은 두 번째 단계로 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행한다.
이번 투자액에는 Y2에서 근무할 구성원을 위한 업무∙복지시설을 갖춘 ‘지원동’, 개발 제품의 실험∙테스트∙분석을 통합 운영하는 ‘연구개발통합센터’, 부대시설 등의 건설 비용이 포함됐다.
경기도 용인시 처인구 원삼면 일대 약 126만 평 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터는 Y2 가동까지 필요한 1단계 전력∙용수 인프라 구축이 99%의 공정률로 마무리 단계다.

SK하이닉스는 청주를 가장 빠르게 팹을 건설할 수 있는 지역으로 꼽았다.
청주캠퍼스는 낸드를 생산하는 M11∙M12∙M15를 보유하고 있어 기존 팹과 연계한 효율적 생산이 가능하고, 부지와 전력∙용수도 상당 부분 갖춰져 있다. 청주 M17은 연면적 20만6000평 규모로 구축되며 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 번째 클린룸을 오픈할 예정이다. 투자 기간은 2031년 4월까지로 사업 일정에 맞춰 단계적으로 집행할 예정이다.
SK하이닉스는 고객들의 중장기 수요를 바탕으로 생산 인프라를 선제적으로 확보하며 실제 생산능력은 고객이 필요로 하는 시점에 맞춰 확대해 나간다는 계획이다. 팹 건설은 계획된 일정에 따라 진행하고 클린룸 증설과 장비 투입은 수요 흐름에 맞춰 순차적으로 이어가 투자 효율성을 높인다는 방침이다.
이번 투자가 미래 성장 기반을 확보하는 동시에 국내 반도체 생태계 경쟁력 제고와 지역경제 활성화로 이어질 것으로 기대하고 있다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 투자는 시장의 성장 속도에 맞춰 그 기회를 놓치지 않기 위한 결정”이라며 “선제적 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 AI 인프라의 핵심 파트너로 자리매김하겠다”라고 말했다.
정우진 기자 jwj3937@kukinews.com















































