장태수 SK하이닉스 부사장이 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로를 인정받아 대통령 표창을 받았다. 장 부사장은 “앞으로도 지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 SK하이닉스의 1등 위상을 공고히 하는데 최선을 다할 것”이라고 소감을 전했다.
SK하이닉스에 뉴스룸을 통해 장 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 ‘제52회 상공의 날’ 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다. 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(nm)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 인정받았다.
1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로, 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다.
장 부사장은 이번 성과에 대해 “세계 최초, 최단 기간 내 (1c DDR5) 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보한 것”이라고 평가했다. 이어 “이 기술을 가장 먼저 개발한 것은 중요한 의미를 갖는다”며 “초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객들에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있기 때문”이라고 설명했다.
장 부사장은 이번에 개발한 기술로 고대역폭메모리(HBM) 성능을 높이는데 기여할 것이라고 전망했다.
D램 셀 크기를 줄이면 HBM의 칩 크기와 높이를 유지하면서 용량을 늘릴 수 있고, HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 장 부사장은 “미세화를 통해 작아진 칩과 감소된 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다”며 “이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속할 것으로 예상한다”고 말했다.
아울러 장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부도 밝혔다. 그는 “데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적 확보를 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조 개발에 주력하는 중”이라며 “데이터 입출력을 담당하는 셀 트랜지스터의 누설 전류 최소화를 위해 구조 혁신에도 힘쓰고 있는 중”이라고 전했다.
