KAIST, 극저온에서 더 강력한 고성능 반도체 소자 개발
국내 연구진이 고성능 2차원 반도체 소자 개발에 성공했다. 초고속 구동이 가능하고 온도가 낮아질수록 성능이 개선돼 고주파수 대역과 극저온에서 활용할 수 있다. 한국과학기술원(KAIST)은 전기및전자공학부 이가영 교수 연구팀이 실리콘의 전자 이동도와 포화 속도를 2배 이상 뛰어넘는 2차원 나노 반도체 인듐 셀레나이드(InSe) 기반 고이동도·초고속 소자를 개발했다고 20일 밝혔다. 포화 속도란 반도체 물질 내에서 전자나 정공이 움직일 수 있는 최대 속도를 말한다. 2차원 인듐 셀레나이드는 기존 실리콘 반도체와 2차... [이예솔]